Daudzslāņu silīcija nanokondensators ar uzlabotiem dielektriskiem slāņiem

Daudzslāņu silīcija nanokondensators ar uzlabotiem dielektriskiem slāņiem (2017-2020)

Finansējums: 1.1.1.1/16/A/203

 

Finansējuma saņēmējs: Rīgas Tehniskā universitāte

Sadarbības partneri:

  • Rīgas pusvadītāju aparātu rūpnīca AS “ALFA RPAR”
  • Latvijas universitāte

Projekta finansējums: EUR 648 605,05, tai skaitā EUR 551 314,29 ERAF finansējums

Projekta īstenošanas termiņš: 01.03.2017.- 29.02.2020.

Projekta zinātniskais vadītājs: Profesors, Dr.habil.phys. Jurijs Dehtjars

Sadarbības partneru kontaktpersonas:

Aleksandrs Zaslavskis, AS “ALFA RPAR” jaunās tehnikas direktors

Dr.Chem. Gunta Ķizāne, LU Ķīmiskās fizikas institūta vadošā pētniece

Projekta administratīvais vadītājs: Marija Nikipelova, RTU projektu vadītāja

Projekta īss apraksts: Nanokondensatori (NC) tiek plaši izmantoti mikro un nanoierīcēs. NC ražošanas tirgus strauji attīstās un uzturēs savu attīstības tempu vismaz nākamus 10 gadus. Latvijas ražotājiem ir potenciāls ienākt NC ražošanas tirgū, taču pagaidām tas netiek darīts. Lai konkurētu NC tirgū, NC ražošanas izmaksas jābūt zemākas nekā pašlaik esošas. NC izgatavošanai plaši izmanto uz silīcija balstītas tehnoloģijas. NC dielektrisko slāni visbiežāk iegūst, saliekot kopā vairākus Si3N4 (N) nanoslāņus, un ieskauj tos no abām pusēm ar SiO2 (O), iegūstot ON…NO struktūru. N…N slāņus iegūst vairākos tehnoloģiskos reaktoros. NC ražošanas izmaksas var samazināt, iegūstot N…N slāņus vienā reaktorā. Kā arī ir nepieciešams nodrošināt NC noturību pret augstām temperatūrām un jonizējošo starojumu.

Projekta mērķis ir izstrādāt NC dielektrisko slāņu izgatavošanas inovatīvu tehnoloģiju, kas samazina NC ražošanas izmaksas, lai rezultātā palielinātu Latvijas ekonomikas zināšanietilpību, konkurētspēju un veicināt Latvijas ekonomikas ilgtspējīgu attīstību.

Plānotie galvenie rezultāti:

  1. rezultātu izplātīšana zinātnisko publikāciju veidā, konferencēs, semināros
  2. laboratorijas vidē izveidots NC izgatavošanas tehnoloģijas prototips
  3. patenta pieteikums par N…N slāņa iegūšanas metodi

 

 

Publicēts 10.03.2017.

Comments are closed